SMMUN2216LT1G
SMMUN2216LT1G
رقم القطعة:
SMMUN2216LT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
62572 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SMMUN2216LT1G.pdf

المقدمة

أفضل سعر SMMUN2216LT1G وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ SMMUN2216LT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على SMMUN2216LT1G عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 1mA, 10mA
نوع الترانزستور:NPN - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3 (TO-236)
سلسلة:-
المقاوم - قاعدة (R1):4.7 kOhms
السلطة - ماكس:246mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:SMMUN2216LT1G-ND
SMMUN2216LT1GOSTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:36 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:160 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
رقم جزء القاعدة:MMUN22**L
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات