SI7946DP-T1-GE3
SI7946DP-T1-GE3
رقم القطعة:
SI7946DP-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
43753 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SI7946DP-T1-GE3.pdf

المقدمة

أفضل سعر SI7946DP-T1-GE3 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ SI7946DP-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على SI7946DP-T1-GE3 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SO-8 Dual
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:150 mOhm @ 3.3A, 10V
السلطة - ماكس:1.4W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SO-8 Dual
اسماء اخرى:SI7946DP-T1-GE3TR
SI7946DPT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):150V
وصف تفصيلي:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.1A
رقم جزء القاعدة:SI7946
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات