SI6925ADQ-T1-GE3
SI6925ADQ-T1-GE3
رقم القطعة:
SI6925ADQ-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
70348 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SI6925ADQ-T1-GE3.pdf

المقدمة

أفضل سعر SI6925ADQ-T1-GE3 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ SI6925ADQ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على SI6925ADQ-T1-GE3 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.8V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:8-TSSOP
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:45 mOhm @ 3.9A, 4.5V
السلطة - ماكس:800mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
اسماء اخرى:SI6925ADQ-T1-GE3TR
SI6925ADQT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:6nC @ 4.5V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف تفصيلي:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.3A
رقم جزء القاعدة:SI6925
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات