| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1206-8 ChipFET™ |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.3W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
| اسماء اخرى: | SI5402BDC-T1-GE3CT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
