SI2374DS-T1-GE3
رقم القطعة:
SI2374DS-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
48954 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SI2374DS-T1-GE3.pdf

المقدمة

أفضل سعر SI2374DS-T1-GE3 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ SI2374DS-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على SI2374DS-T1-GE3 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3 (TO-236)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:30 mOhm @ 4A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):960mW (Ta), 1.7W (Tc)
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:SI2374DS-T1-GE3CT
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:735pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف تفصيلي:N-Channel 20V 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات