| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | CPT3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 980 mOhm @ 1.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 20W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | R6004ENDTLTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 250pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 15nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 600V 4A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
R6002025XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | تحقيق |
 |
R6007ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A TO220 | تحقيق |
 |
R6007KNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263 | تحقيق |
|
R6001830XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 | تحقيق |
|
R6007KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | تحقيق |
|
R6002030XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 | تحقيق |
|
R6006ANX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM | تحقيق |
|
R6004KNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 | تحقيق |
 |
R6002END3TL1 | LAPIS Semiconductor | NCH 600V 2A POWER MOSFET | تحقيق |
|
R6004ENJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A LPT | تحقيق |
|
R6001825XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | تحقيق |
 |
R6006ANDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6A CPT | تحقيق |
|
R6004ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | تحقيق |
|
R6002625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 | تحقيق |
|
R6002ENDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 | تحقيق |
|
R6004KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM | تحقيق |
|
R6004CNDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A CPT | تحقيق |
|
R6002225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 | تحقيق |
|
R6007ENJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A LPT | تحقيق |
|
R6002425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 | تحقيق |