MUN5331DW1T1G
MUN5331DW1T1G
رقم القطعة:
MUN5331DW1T1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
59883 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
MUN5331DW1T1G.pdf

المقدمة

أفضل سعر MUN5331DW1T1G وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ MUN5331DW1T1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MUN5331DW1T1G عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 5mA, 10mA
نوع الترانزستور:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:SC-88/SC70-6/SOT-363
سلسلة:-
المقاوم - قاعدة باعث (R2):2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة (R1):2.2 kOhms
السلطة - ماكس:250mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
تردد - تحول:-
وصف تفصيلي:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:8 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
رقم جزء القاعدة:MUN53**DW1
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات