MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E - Micron Technology ذاكرة

MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

رقم القطعة:: MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 12G 2133MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 68317 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.1V
تكنولوجيا:	SDRAM - Mobile LPDDR4
سلسلة:	-
اسماء اخرى:	MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E-ND MT53D384M32D2DS-046WTES:E
درجة حرارة التشغيل:	-30°C ~ 85°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	12Gb (384M x 32)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 2133MHz
تردد على مدار الساعة:	2133MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR	Micron Technology	LPDDR4 6G 384MX16 FBGA	تحقيق
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C	Micron Technology	IC DRAM 12G 2133MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C	Micron Technology	IC DRAM 12G 2133MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 2133MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C	Micron Technology	IC DRAM 12G 2133MHZ	تحقيق
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 2133MHZ	تحقيق
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D	Micron Technology	LPDDR4 6G 384MX16 FBGA	تحقيق
MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D	Micron Technology	LPDDR4 6G 384MX16 FBGA	تحقيق
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 2133MHZ	تحقيق
MT53D384M16D1Z1AMWC1	Micron Technology	LPDDR4 6G DIE 384MX16	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار