MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR - Micron Technology ذاكرة

MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR

رقم القطعة:: MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 32G 1600MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 44827 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.1V
تكنولوجيا:	SDRAM - Mobile LPDDR4
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR-ND MT53B512M64D4NZ-062WT:DTR
درجة حرارة التشغيل:	-30°C ~ 85°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	32Gb (512M x 64)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
تردد على مدار الساعة:	1600MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4PV-062 WT:C	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4NW-062 WT:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ	تحقيق
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4NW-062 WT:C	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4NW-062 WT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ	تحقيق
MT53B512M64D4PV-053 WT:C	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ	تحقيق
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C	Micron Technology	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار