MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR - Micron Technology ذاكرة

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

رقم القطعة:: MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 75200 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.1V
تكنولوجيا:	SDRAM - Mobile LPDDR4
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR-ND MT53B256M32D1GZ-062WT:BTR
درجة حرارة التشغيل:	-30°C ~ 85°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	8Gb (256M x 32)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
تردد على مدار الساعة:	1600MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1866MHZ	تحقيق
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ	تحقيق
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B	Micron Technology	LPDDR4 8G 256MX32 FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1DS-062 XT:C	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ	تحقيق
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1NP-062 AUT:C	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ	تحقيق
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ	تحقيق
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ	تحقيق
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ	تحقيق
MT53B256M32D1NP-053 WT:C	Micron Technology	IC DRAM 8G 1866MHZ	تحقيق
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C	Micron Technology	IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار