MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR - Micron Technology ذاكرة

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

رقم القطعة:: MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 6G 1866MHZ

كمية:: 72407 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.1V
تكنولوجيا:	SDRAM - Mobile LPDDR4
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR-ND MT53B1536M32D8QD-053WTES:DTR
درجة حرارة التشغيل:	-30°C ~ 85°C (TC)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	6Gb (1.5G x 32)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص:	Lead free
وصف تفصيلي:	SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 6Gb (1.5G x 32) 1866MHz
تردد على مدار الساعة:	1866MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A	Micron Technology	IC DRAM 4G 1600MHZ	تحقيق
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR	Micron Technology	IC DRAM 4G 1600MHZ	تحقيق
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D	Micron Technology	IC DRAM 6G 1866MHZ	تحقيق
MT53B1DADS-DC	Micron Technology	IC SDRAM SPEC/CUSTOM LPDDR4	تحقيق
MT53B128M32D1Z00NEC2	Micron Technology	LPDDR4 4G DIE 128MX32	تحقيق
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A	Micron Technology	IC DRAM 4G 1600MHZ	تحقيق
MT53B128M32D1Z00NWC2	Micron Technology	LPDDR4 4G DIE 128MX32	تحقيق
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A	Micron Technology	LPDDR4 12G 192MX64 FBGA DDP	تحقيق
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D	Micron Technology	IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR	Micron Technology	IC DRAM 4G 1600MHZ	تحقيق
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR	Micron Technology	LPDDR4 12G 192MX64 FBGA DDP	تحقيق
MT53B192M32D1Z9AMWC1	Micron Technology	LPDDR4 6G DIE 192MX32	تحقيق
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR	Micron Technology	IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53B128M32D1NP-062 WT:A	Micron Technology	IC DRAM 4G 1600MHZ	تحقيق
MT53B192M32D1Z0AMWC1	Micron Technology	LPDDR4 6G DIE 192MX32	تحقيق
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR	Micron Technology	IC SDRAM 6GBIT DIE	تحقيق
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A	Micron Technology	IC DRAM 6G 1600MHZ	تحقيق
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR	Micron Technology	IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR	Micron Technology	IC DRAM 4G 1600MHZ	تحقيق
MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR	Micron Technology	IC DRAM 4G 1600MHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار