العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة (إكس) > ذاكرة > MT46V16M16CY-5B IT:M TR
MT46V16M16CY-5B IT:M TR
MT46V16M16CY-5B IT:M TR
رقم القطعة:
MT46V16M16CY-5B IT:M TR
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
45122 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
MT46V16M16CY-5B IT:M TR.pdf
تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT46V16M16CY-5B IT:M TR وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ MT46V16M16CY-5B IT:M TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT46V16M16CY-5B IT:M TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
الجهد - انهيار:60-FBGA (8x12.5)
المعايير:Volatile
البرمجيات:256Mb (16M x 16)
قذيفة ستايل:2.5 V ~ 2.7 V
سلسلة:-
بنفايات الحالة:Tape & Reel (TR)
عكس وقت الاسترداد (TRR):200MHz
الاستقطاب:60-TFBGA
الناتج عزل:DRAM
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 85°C (TA)
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
الصانع الجزء رقم:MT46V16M16CY-5B IT:M TR
السطح البيني:Parallel
وصف:IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMT46V16M16CY-5B IT:M TR

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MT46V16M16CY-6:K TR Image MT46V16M16CY-6:K TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B:M Image MT46V16M16CY-5B:M Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16FG-6 L:F Image MT46V16M16FG-6 L:F Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B:M TR Image MT46V16M16CY-5B:M TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16FG-6 L:F TR Image MT46V16M16FG-6 L:F TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR Image MT46V16M16CY-5B AIT:M TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16BG-6:F Image MT46V16M16BG-6:F Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16BG-5B:F TR Image MT46V16M16BG-5B:F TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-6 IT:K TR Image MT46V16M16CY-6 IT:K TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B AAT:M Image MT46V16M16CY-5B AAT:M Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16BG-6 IT:F TR Image MT46V16M16BG-6 IT:F TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B XIT:M Image MT46V16M16CY-5B XIT:M Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR Image MT46V16M16CY-5B AAT:M TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B:K TR Image MT46V16M16CY-5B:K TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR Image MT46V16M16CY-5B XIT:M TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B IT:M Image MT46V16M16CY-5B IT:M Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16BG-6:F TR Image MT46V16M16BG-6:F TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16CY-5B AIT:M Image MT46V16M16CY-5B AIT:M Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V16M16FG-5B:F TR Image MT46V16M16FG-5B:F TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT46V128M8TG-75:A TR Image MT46V128M8TG-75:A TR Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP تحقيق

Latest الأخبار