العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة (إكس) > ذاكرة > MT46H64M32LFT89MWC2-N1004
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004
رقم القطعة:
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004
الصانع:
Micron Technology
وصف:
MOBILE DDR 2G DIE 64MX32
كمية:
56221 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004.pdf
تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
سلسلة:*
حالة خالية من الرصاص:Lead free
وصف تفصيلي:Memory IC
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMT46H64M32LFT89MWC2-N1004

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MT46H8M16LFBF-6:K Image MT46H8M16LFBF-6:K Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR Image MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-5 IT:B Image MT46H64M32LFMA-5 IT:B Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H8M16LFBF-6 AT:K Image MT46H8M16LFBF-6 AT:K Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H8M16LFBF-5 IT:K Image MT46H8M16LFBF-5 IT:K Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H8M16LFCF-10 IT TR Image MT46H8M16LFCF-10 IT TR Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H8M16LFCF-10 Image MT46H8M16LFCF-10 Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR Image MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR Image MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H8M16LFBF-5:K Image MT46H8M16LFBF-5:K Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Image MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR Image MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H8M16LFBF-5:K TR Image MT46H8M16LFBF-5:K TR Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-5 WT:B Image MT46H64M32LFMA-5 WT:B Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-6 IT:B Image MT46H64M32LFMA-6 IT:B Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-6 WT:B Image MT46H64M32LFMA-6 WT:B Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H8M16LFCF-10 IT Image MT46H8M16LFCF-10 IT Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR Image MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H64M32LFMA-6 IT:A Image MT46H64M32LFMA-6 IT:A Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR Image MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR Micron Technology IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق

Latest الأخبار