العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة (إكس) > ذاكرة > MT46H128M16LFDD-48 IT:C
MT46H128M16LFDD-48 IT:C
MT46H128M16LFDD-48 IT:C
رقم القطعة:
MT46H128M16LFDD-48 IT:C
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
59286 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
MT46H128M16LFDD-48 IT:C.pdf
تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT46H128M16LFDD-48 IT:C وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ MT46H128M16LFDD-48 IT:C ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT46H128M16LFDD-48 IT:C عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:14.4ns
الجهد - توريد:1.7 V ~ 1.95 V
تكنولوجيا:SDRAM - Mobile LPDDR
تجار الأجهزة حزمة:60-VFBGA (8x9)
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:60-VFBGA
اسماء اخرى:MT46H128M16LFDD-48 IT:C-ND
MT46H128M16LFDD-48IT:C
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:Volatile
حجم الذاكرة:2Gb (128M x 16)
واجهة الذاكرة:Parallel
تنسيق الذاكرة:DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 208MHz 5.0ns 60-VFBGA (8x9)
تردد على مدار الساعة:208MHz
وقت الدخول:5.0ns
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMT46H128M16LFDD-48 IT:C

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Image MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR Image MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M16LFB7-5 WT:B Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Image MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Image MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Image MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H128M16LFB7-6 WT:B Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M16LFB7-6 IT:B Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR Image MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR Image MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M16LFCK-5 IT:A Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C Image MT46H128M16LFDD-48 AIT:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M16LFCK-6 IT:A Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
MT46H128M16LFDD-48 WT:C Image MT46H128M16LFDD-48 WT:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA تحقيق

Latest الأخبار