MT40A512M8RH-083E AIT:B TR - Micron Technology ذاكرة

MT40A512M8RH-083E AIT:B TR

رقم القطعة:: MT40A512M8RH-083E AIT:B TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 71265 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT40A512M8RH-083E AIT:B TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT40A512M8RH-083E AIT:B TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT40A512M8RH-083E AIT:B TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT40A512M8RH-083E AIT:B TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.14 V ~ 1.26 V
تكنولوجيا:	SDRAM - DDR4
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT40A512M8RH-083E AIT:B TR-ND MT40A512M8RH-083EAIT:BTR
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 95°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	4Gb (512M x 8)
واجهة الذاكرة:	Parallel
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz
تردد على مدار الساعة:	1.2GHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT40A512M8RH-083E AIT:B TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A512M8Z90BWC1	Micron Technology	DDR4 4G DIE 512MX8	تحقيق
MT4118-HR-A	Marktech Optoelectronics	LED RED DIFFUSED 5MM ROUND T/H	تحقيق
MT40A512M8RH-075E:B	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ	تحقيق
MT40A512M8RH-075E AUT:B	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ	تحقيق
MT40A512M8RH-083E:B	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A8G4KVA-075H:G	Micron Technology	MEMORY DRAM	تحقيق
MT40A512M8RH-075E:B TR	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A8G4KVA-075H:G TR	Micron Technology	MEMORY DRAM	تحقيق
MT40A512M8RH-083E AUT:B	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40C16T1-BP	Micro Commercial Components (MCC)	MOD SCR DUAL 40A 1600V T1	تحقيق
MT40A512M8RH-083E AAT:B	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A512M8RH-075E IT:B	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ	تحقيق
MT40A512M8RH-075E IT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40CB16T1-BP	Micro Commercial Components (MCC)	MOD SCR/DIODE 40A 1600V T1	تحقيق
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A512M8RH-083E IT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A512M8RH-083E AIT:B	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار