العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة (إكس) > ذاكرة > MT40A256M16GE-062E:B TR
MT40A256M16GE-062E:B TR
رقم القطعة:
MT40A256M16GE-062E:B TR
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
46277 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
MT40A256M16GE-062E:B TR.pdf
تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT40A256M16GE-062E:B TR وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ MT40A256M16GE-062E:B TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT40A256M16GE-062E:B TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
سلسلة:*
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:MT40A256M16GE-062E:BTR
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:Memory IC
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMT40A256M16GE-062E:B TR

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR Image MT40A1G8WE-083E AIT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA تحقيق
MT40A256M16GE-062E IT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ تحقيق
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR Image MT40A256M16GE-075E AIT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA تحقيق
MT40A1G8WE-083E AIT:B Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ تحقيق
MT40A256M16GE-075E IT:B TR Image MT40A256M16GE-075E IT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA تحقيق
MT40A256M16GE-075E AUT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ تحقيق
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ تحقيق
MT40A256M16GE-083E AAT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ تحقيق
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR Image MT40A1G8WE-083E AUT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA تحقيق
MT40A256M16GE-062E:B Image MT40A256M16GE-062E:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA تحقيق
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Image MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA تحقيق
MT40A256M16GE-062E IT:B TR Image MT40A256M16GE-062E IT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA تحقيق
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR Image MT40A256M16GE-075E AAT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA تحقيق
MT40A256M16GE-075E AAT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ تحقيق
MT40A256M16GE-075E AIT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ تحقيق
MT40A1G8WE-083E:B TR Image MT40A1G8WE-083E:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA تحقيق
MT40A1G8WE-083E IT:B TR Image MT40A1G8WE-083E IT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA تحقيق
MT40A256M16GE-075E:B Image MT40A256M16GE-075E:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA تحقيق
MT40A256M16GE-075E IT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ تحقيق
MT40A1G8Z01AWC1 Micron Technology DDR4 8G DIE 1GX8 تحقيق

Latest الأخبار