MT38W2011A90YZQXZI.X68 - Micron Technology ذاكرة

MT38W2011A90YZQXZI.X68

رقم القطعة:: MT38W2011A90YZQXZI.X68

الصانع:: Micron Technology

وصف:: PARALLEL/PSRAM 80M

كمية:: 65302 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT38W2011A90YZQXZI.X68.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT38W2011A90YZQXZI.X68 وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT38W2011A90YZQXZI.X68 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT38W2011A90YZQXZI.X68 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
سلسلة:	*
وصف تفصيلي:	Memory IC
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT38W2011A90YZQXZI.X68

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT3B3024	Agastat Relays / TE Connectivity	RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V	تحقيق
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR	Micron Technology	PARALLEL/MOBILE DDR 576M	تحقيق
MT3S113P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	تحقيق
MT3B6115	Agastat Relays / TE Connectivity	RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V	تحقيق
MT3B30C4	Agastat Relays / TE Connectivity	RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V	تحقيق
MT38W201DAA033JZZI.X68	Micron Technology	MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND	تحقيق
MT38M5041A3034EZZI.XR6	Micron Technology	IC FLASH RAM 512M PARALLEL	تحقيق
MT38M5071A3063RZZI.YE8	Micron Technology	IC FLASH RAM 512M PARALLEL	تحقيق
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR	Micron Technology	MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL	تحقيق
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR	Micron Technology	IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA	تحقيق
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR	Micron Technology	MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V	تحقيق
MT389	Conxall / Switchcraft	CONN JACK TWIN STEREO PNL MNT	تحقيق
MT38W1011A90YZQXZI.XB8	Micron Technology	PARALLEL/PSRAM 48M	تحقيق
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR	Micron Technology	MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP	تحقيق
MT38M4041A3034EZZI.XK6	Micron Technology	IC FLASH RAM 256M PARALLEL	تحقيق
MT3S111(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	تحقيق
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR	Micron Technology	IC FLASH RAM 512M PARALLEL	تحقيق
MT3S111P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	تحقيق
MT3S113(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	تحقيق
MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR	Micron Technology	IC FLASH RAM 256M PARAL 56VFBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار