MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR - Micron Technology ذاكرة

MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR

رقم القطعة:: MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 51463 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	2.5 V ~ 3.6 V
تكنولوجيا:	FLASH - NAND
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR-ND MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:BTR
درجة حرارة التشغيل:	0°C ~ 70°C (TA)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Non-Volatile
حجم الذاكرة:	384Gb (48G x 8)
واجهة الذاكرة:	Parallel
تنسيق الذاكرة:	FLASH
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	FLASH - NAND Memory IC 384Gb (48G x 8) Parallel 333MHz
تردد على مدار الساعة:	333MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT29F32G08FAAWP-ET:A TR	Micron Technology	IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
MT29F32G08FAAWP:A TR	Micron Technology	IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP	تحقيق
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R	Micron Technology	IC FLASH 384G PARALLEL WAFER	تحقيق
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR	Micron Technology	IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR	Micron Technology	IC FLASH 384G PARALLEL 267MHZ	تحقيق
MT29F32G08QAAWP:A TR	Micron Technology	IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR	Micron Technology	IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ	تحقيق
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR	Micron Technology	IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR	Micron Technology	IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR	Micron Technology	IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B	Micron Technology	IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29F4G01AAADDHC-IT:D	Micron Technology	IC FLASH 4G SPI 63VFBGA	تحقيق
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B	Micron Technology	IC FLASH 384G PARALLEL 267MHZ	تحقيق
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR	Micron Technology	IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ	تحقيق
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR	Micron Technology	IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1	Micron Technology	IC FLASH 384G PARALLEL WAFER	تحقيق
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR	Micron Technology	IC FLASH 384G PARALLEL 267MHZ	تحقيق
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR	Micron Technology	IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ	تحقيق
MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR	Micron Technology	IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ	تحقيق
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B	Micron Technology	IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار