MT29F2G01AAAEDH4-IT:E - Micron Technology ذاكرة

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

رقم القطعة:: MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 39537 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT29F2G01AAAEDH4-IT:E.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT29F2G01AAAEDH4-IT:E وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT29F2G01AAAEDH4-IT:E ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT29F2G01AAAEDH4-IT:E عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	2.7 V ~ 3.6 V
تكنولوجيا:	FLASH - NAND
تجار الأجهزة حزمة:	63-VFBGA (9x11)
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	63-VFBGA
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Non-Volatile
حجم الذاكرة:	2Gb (2G x 1)
واجهة الذاكرة:	SPI
تنسيق الذاكرة:	FLASH
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	FLASH - NAND Memory IC 2Gb (2G x 1) SPI 63-VFBGA (9x11)
رقم جزء القاعدة:	MT29F2G01
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT29F2G01AAAEDH4-IT:E

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1	Micron Technology	SLC 2G DIE 2GX1	تحقيق
MT29F2G01AAAEDH4:E	Micron Technology	IC FLASH 2G SPI 63VFBGA	تحقيق
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E	Micron Technology	IC FLASH 2G SPI 63VFBGA	تحقيق
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR	Micron Technology	IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA	تحقيق
MT29F256G08EECBBJ4-10ES:B TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ	تحقيق
MT29F256G08EFEBBWP:B TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP	تحقيق
MT29F256G08EFEBBWP:B	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP	تحقيق
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ	تحقيق
MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 200MHZ	تحقيق
MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP	تحقيق
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR	Micron Technology	IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA	تحقيق
MT29F256G08EECBBJ4-6:B TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G	Micron Technology	IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA	تحقيق
MT29F256G08EECBBJ4-6:B	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR	Micron Technology	IC FLASH 2G SPI 63VFBGA	تحقيق
MT29F2G01ABAGD12-IT:G	Micron Technology	IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA	تحقيق
MT29F2G01AAAEDH4:E TR	Micron Technology	IC FLASH 2G SPI 63VFBGA	تحقيق
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR	Micron Technology	IC FLASH 2G SPI 63VFBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار