MT29E256G08CECCBH6-6:C TR - Micron Technology ذاكرة

MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

رقم القطعة:: MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 32432 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT29E256G08CECCBH6-6:C TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT29E256G08CECCBH6-6:C TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT29E256G08CECCBH6-6:C TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT29E256G08CECCBH6-6:C TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	2.7 V ~ 3.6 V
تكنولوجيا:	FLASH - NAND
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT29E256G08CECCBH6-6:C TR-ND MT29E256G08CECCBH6-6:CTR
درجة حرارة التشغيل:	0°C ~ 70°C (TA)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Non-Volatile
حجم الذاكرة:	256Gb (32G x 8)
واجهة الذاكرة:	Parallel
تنسيق الذاكرة:	FLASH
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 167MHz
تردد على مدار الساعة:	167MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT29E256G08CECCBH6-6:C TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR	Micron Technology	IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA	تحقيق
MT29E1T08CUCCBH8-6:C	Micron Technology	IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR	Micron Technology	IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C	Micron Technology	IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B	Micron Technology	IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA	تحقيق
MT29E2T08CUHBBM4-3:B	Micron Technology	IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR	Micron Technology	IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA	تحقيق
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR	Micron Technology	IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR	Micron Technology	IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29E256G08CECCBH6-6:C	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR	Micron Technology	IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA	تحقيق
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR	Micron Technology	IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA	تحقيق
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR	Micron Technology	IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA	تحقيق
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ	تحقيق
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR	Micron Technology	IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ	تحقيق
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA	تحقيق
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR	Micron Technology	IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار