| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.55V @ 1A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 880V |
| تجار الأجهزة حزمة: | A-PAK |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | A, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-3026 1086-3026-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 880V 1A Through Hole A-PAK |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500nA @ 880V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6621U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF | تحقيق |
|
JANTXV1N6620 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N6622US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N6621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.2A D5A | تحقيق |
 |
JANTXV1N6622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N6620U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF | تحقيق |
|
JANTXV1N6623U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF | تحقيق |
|
JANTXV1N6623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N6620US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.2A D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N6622U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | تحقيق |
|
JANTXV1N6621 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N6624 | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N6625 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | تحقيق |
 |
JANTXV1N6492 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF | تحقيق |
|
JANTXV1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | تحقيق |
|
JANTXV1N6624U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF | تحقيق |
|
JANTXV1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N6624US | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1A D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | تحقيق |