JAN1N6643US
رقم القطعة:
JAN1N6643US
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
كمية:
76960 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
JAN1N6643US.pdf

المقدمة

أفضل سعر JAN1N6643US وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ JAN1N6643US ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على JAN1N6643US عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.2V @ 100mA
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):50V
تجار الأجهزة حزمة:D-5D
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:Military, MIL-PRF-19500/578
عكس وقت الاسترداد (TRR):6ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SQ-MELF, D
اسماء اخرى:1086-20044
1086-20044-MIL
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Contains lead / RoHS non-compliant
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف تفصيلي:Diode Standard 50V 300mA Surface Mount D-5D
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:500nA @ 75V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):300mA
السعة @ الواقع الافتراضي، F:5pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات