| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - تقييمه: | 500V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | Z-MOS™ |
| مخرج قوي: | 350W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 23dB |
| تردد: | 65MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet N-Channel 65MHz 23dB 350W PLUS247™-3 |
| التصويت الحالي: | 19A |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | تحقيق |
 |
MHT1001HR5 | NXP Semiconductors / Freescale | IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ | تحقيق |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | تحقيق |
|
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
375-102N12A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | تحقيق |
|
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
|
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | تحقيق |
 |
CG2H80015D-GP4 | Cree Wolfspeed | RF DISCRETE | تحقيق |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
 |
IXZ-2510 | InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | تحقيق |
 |
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | تحقيق |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXZR08N120 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
IXZ210N50L | IXYS Corporation | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | تحقيق |
|
IXZH10N50L2B | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | تحقيق |
|
IXZ308N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | تحقيق |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | تحقيق |