| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 250mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 330 mOhm @ 10A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 400W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 125nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 500V 20A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTT26N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 | تحقيق |
|
IXTT1N300P3HV | IXYS Corporation | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
|
IXTT30N60L2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT1N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT16N10D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT2N300P3HV | IXYS Corporation | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
|
IXTT2N170D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT30N50L | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT170N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT1N250HV | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV | تحقيق |
|
IXTT16P60P | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT1N450HV | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 | تحقيق |
 |
IXTT30N50L2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT16N20D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT30N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 | تحقيق |
|
IXTT16N50D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT20P50P | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 500V 20A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT26N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT16P20 | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT24P20 | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 200V 24A TO-268 | تحقيق |