IXFR10N100Q
IXFR10N100Q
رقم القطعة:
IXFR10N100Q
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
40358 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
IXFR10N100Q.pdf

المقدمة

أفضل سعر IXFR10N100Q وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ IXFR10N100Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على IXFR10N100Q عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 4mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS247™
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.2 Ohm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):250W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS247™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:90nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V
وصف تفصيلي:N-Channel 1000V 9A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات