| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | GigaMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12.9 mOhm @ 60A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 900W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 28000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 345nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 250V 168A (Tc) 900W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 168A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN170N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN180N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN210N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN210N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN180N10 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN180N07 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN160N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 | تحقيق |
|
IXFN230N10 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN180N15P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN20N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN200N07 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN150N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN20N120 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN170N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B | تحقيق |
|
IXFN210N30X3 | IXYS Corporation | FET N-CHANNEL | تحقيق |
|
IXFN170N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXFN21N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN220N20X3 | IXYS Corporation | 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFN170N10 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B | تحقيق |