| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.35V @ 100µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PQFN (5x6) Single Die |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.85 mOhm @ 50A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.6W (Ta), 110W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | IRFH5301TR2PBFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5114pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 77nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 30V 35A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 35A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
