| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.3W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | *IRFD123PBF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 360pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
