| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 42 mOhm @ 22A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | *IRF3415S |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 200nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 150V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 43A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
