| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Silicon Carbide Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 12A (DC) |
| الجهد - انهيار: | PG-TO247-3 |
| سلسلة: | thinQ!™ |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 360pF @ 1V, 1MHz |
| الاستقطاب: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | IDW12G65C5 IDW12G65C5-ND SP000937044 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 0ns |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IDW12G65C5FKSA1 |
| وصف موسع: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 500µA @ 650V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.7V @ 12A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 650V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
