HN2C01FE-GR(T5L,F)
HN2C01FE-GR(T5L,F)
رقم القطعة:
HN2C01FE-GR(T5L,F)
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
70001 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
HN2C01FE-GR(T5L,F).pdf

المقدمة

أفضل سعر HN2C01FE-GR(T5L,F) وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ HN2C01FE-GR(T5L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على HN2C01FE-GR(T5L,F) عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 10mA, 100mA
نوع الترانزستور:2 NPN (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:ES6
سلسلة:-
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:HN2C01FE-GR(T5LF)DKR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
تردد - تحول:60MHz
وصف تفصيلي:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:200 @ 2mA, 6V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):150mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات