GA20JT12-263
GA20JT12-263
رقم القطعة:
GA20JT12-263
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف:
TRANS SJT 1200V 45A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
67926 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
GA20JT12-263.pdf

المقدمة

أفضل سعر GA20JT12-263 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ GA20JT12-263 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على GA20JT12-263 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
فغس (ماكس):-
تكنولوجيا:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
تجار الأجهزة حزمة:D2PAK (7-Lead)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:60 mOhm @ 20A
تبديد الطاقة (ماكس):282W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
اسماء اخرى:1242-1189
GA20JT12-247ISO
GA20JT12247ISO
درجة حرارة التشغيل:175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3091pF @ 800V
نوع FET:-
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):-
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V
وصف تفصيلي:1200V 45A (Tc) 282W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات