| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 110ns |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| تكنولوجيا: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 44-TSOP II |
| سلسلة: | F-RAM™ |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| اسماء اخرى: | FM21L16-60-TGRA FM21L1660TG |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 2Mb (128K x 16) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | FRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 110ns 44-TSOP II |
| رقم جزء القاعدة: | FM21L16 |
| وقت الدخول: | 110ns |
| Email: | [email protected] |
