FDC6506P
FDC6506P
رقم القطعة:
FDC6506P
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
75060 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
FDC6506P.pdf

المقدمة

أفضل سعر FDC6506P وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ FDC6506P ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على FDC6506P عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:SuperSOT™-6
سلسلة:PowerTrench®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:170 mOhm @ 1.8A, 10V
السلطة - ماكس:700mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
اسماء اخرى:FDC6506PCT
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:42 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:190pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:3.5nC @ 10V
نوع FET:2 P-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف تفصيلي:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.8A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات