| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 600µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | eGaN® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 70 mOhm @ 2A, 5V |
| السلطة - ماكس: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | 917-1110-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 75pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.73nC @ 5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET الميزة: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.7A |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2111ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | تحقيق |
 |
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE | تحقيق |
 |
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2105 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | تحقيق |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2103 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | تحقيق |
|
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | تحقيق |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2107 | EPC | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | تحقيق |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2104 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | تحقيق |
|
EPC2111 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | تحقيق |
|
EPC2108 | EPC | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | تحقيق |
|
EPC2110 | EPC | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE | تحقيق |
 |
EPC2112ENGRT | EPC | 200 V GAN IC FET DRIVER | تحقيق |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | تحقيق |
|
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | تحقيق |