EDB8164B4PR-1D-F-D
رقم القطعة:
EDB8164B4PR-1D-F-D
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
39485 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
EDB8164B4PR-1D-F-D.pdf

المقدمة

أفضل سعر EDB8164B4PR-1D-F-D وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ EDB8164B4PR-1D-F-D ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على EDB8164B4PR-1D-F-D عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:-
الجهد - توريد:1.14 V ~ 1.95 V
تكنولوجيا:SDRAM - Mobile LPDDR2
تجار الأجهزة حزمة:216-FBGA (12x12)
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:216-WFBGA
درجة حرارة التشغيل:-30°C ~ 85°C (TC)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:Volatile
حجم الذاكرة:8Gb (128M x 64)
واجهة الذاكرة:Parallel
تنسيق الذاكرة:DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 533MHz 216-FBGA (12x12)
تردد على مدار الساعة:533MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات