DTA114EET1G
DTA114EET1G
رقم القطعة:
DTA114EET1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
94904 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
DTA114EET1G.pdf

المقدمة

أفضل سعر DTA114EET1G وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ DTA114EET1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على DTA114EET1G عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 300µA, 10mA
نوع الترانزستور:PNP - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:SC-75, SOT-416
سلسلة:-
المقاوم - قاعدة باعث (R2):10 kOhms
المقاوم - قاعدة (R1):10 kOhms
السلطة - ماكس:200mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:SC-75, SOT-416
اسماء اخرى:DTA114EET1GOSCT
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:35 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
رقم جزء القاعدة:DTA114
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات