| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 25ns |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| تكنولوجيا: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 48-FBGA (6x10) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 48-TFBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 4Mb (512K x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | NVSRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 25ns 48-FBGA (6x10) |
| رقم جزء القاعدة: | CY14B104 |
| وقت الدخول: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
