BR32KB104M - Advanced Sensors / Amphenol مجسات درجة الحرارة - نتك ثيرميستورس

BR32KB104M

رقم القطعة:: BR32KB104M

الصانع:: Advanced Sensors / Amphenol

وصف:: THERMISTOR NTC 100KOHM BEAD

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 71515 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: BR32KB104M.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر BR32KB104M وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ BR32KB104M ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على BR32KB104M عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
سلسلة:	-
المقاومة في أومز @ 25 ° C:	100k
التسامح المقاومة:	±20%
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	Bead, Glass
درجة حرارة التشغيل:	-80°C ~ 300°C
تصاعد نوع:	Through Hole
طول - سلك الرصاص:	0.31" (7.90mm)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	NTC Thermistor 100k Bead, Glass
B25 / 85:	-
B25 / 75:	-
B25 / 50:	-
B25 / 100:	-
B0 / 50:	-
التسامح B القيمة:	-
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBR32KB104M

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
BR32KB103M	Advanced Sensors / Amphenol	THERMISTOR NTC 10KOHM BEAD	تحقيق
BR32	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3	تحقيق
BR300	Sanken Electric Co., Ltd.	DC DC CONVERTER 5V 5W	تحقيق
BR35005W-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 35A 50V BR-W	تحقيق
BR3504W-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 35A 400V BR-W	تحقيق
BR310	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 1000V 3A BR-3	تحقيق
BR3510W-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 35A 1000V BR-W	تحقيق
BR301	Sanken Electric Co., Ltd.	DC DC CONVERTER 3.3V 3W	تحقيق
BR305	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 3A BR-3	تحقيق
BR34E02NUX-WTR	LAPIS Semiconductor	IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030	تحقيق
BR34L02FV-WE2	LAPIS Semiconductor	IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SSOPB	تحقيق
BR34E02FVT-3E2	LAPIS Semiconductor	IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP	تحقيق
BR34	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 400V 3A BR-3	تحقيق
BR3504-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 35A 400V BR	تحقيق
BR35005-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 35A 50V BR	تحقيق
BR34E02NUX-3TR	LAPIS Semiconductor	IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030	تحقيق
BR31	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 3A BR-3	تحقيق
BR34L02FVT-WE2	LAPIS Semiconductor	IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP	تحقيق
BR3510-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 35A 1000V BR	تحقيق
BR34E02FVT-WE2	LAPIS Semiconductor	IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار