| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-HSOPF |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 60W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1224-2 |
| اسماء اخرى: | 934960011518 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 1GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 50V 40mA 1GHz 18dB 60W 4-HSOPF |
| التصويت الحالي: | 1.4µA |
| الحالي - اختبار: | 40mA |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H603Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP10H690PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
 |
BLP35M805Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | تحقيق |
 |
BLP10H6120PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
 |
BLP10H605AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP7G07S-140P,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F | تحقيق |
|
BLP25M710Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H610AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H630PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
 |
BLP15M7160PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232 | تحقيق |
|
BLP10H690PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
|
BLP25M705Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H610Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H603AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H630PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
|
BLP10H605Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H6120PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
|
BLP27M810Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | تحقيق |
|
BLP10H660PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
|
BLP7G07S-140PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 | تحقيق |