| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| نوع الترانزستور: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT363-6 |
| سلسلة: | - |
| المقاوم - قاعدة باعث (R2): | 47 kOhms |
| المقاوم - قاعدة (R1): | 10 kOhms |
| السلطة - ماكس: | 250mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | BCR 35PN E6433 BCR 35PN E6433-ND BCR35PNE6433HTMA1TR BCR35PNE6433XT SP000010832 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 150MHz |
| وصف تفصيلي: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 70 @ 5mA, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100mA |
| رقم جزء القاعدة: | BCR35PN |
| Email: | [email protected] |
