| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.6V @ 15V, 26A |
| اختبار حالة: | 400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 16ns/102ns |
| تحويل الطاقة: | 409µJ (on), 450µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | POWER MOS 8™ |
| السلطة - ماكس: | 337W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 128nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 130A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 78A |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | تحقيق |
 |
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | تحقيق |
 |
APT43M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | تحقيق |
 |
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
 |
APT45GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | تحقيق |
 |
APT44F80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX | تحقيق |
|
APT43GA90BD30 | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO247 | تحقيق |
|
APT43M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | تحقيق |
|
APT43GA90B | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO-247 | تحقيق |
|
APT44F80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 | تحقيق |
|
APT43F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | تحقيق |
|
APT44GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | تحقيق |
|
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | تحقيق |
|
APT45GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | تحقيق |
|
APT43F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | تحقيق |
|
APT45GR65B2DU30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
APT45GR65B | Microsemi | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | تحقيق |
|
APT44GA60B | Microsemi | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | تحقيق |
|
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | تحقيق |