| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D3Pak |
| سلسلة: | POWER MOS 8™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 530 mOhm @ 9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3760pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 120nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT17F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK | تحقيق |
 |
APT17F120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT17N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | تحقيق |
|
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | تحقيق |
|
APT18F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | تحقيق |
 |
APT2012CGCK | Kingbright | LED GREEN CLEAR CHIP SMD | تحقيق |
 |
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | تحقيق |
|
APT18M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | تحقيق |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT17N80SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK | تحقيق |
 |
APT19M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | تحقيق |
|
APT2012EC | Kingbright | LED RED CLEAR CHIP SMD | تحقيق |
|
APT18F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK | تحقيق |
|
APT19F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | تحقيق |
|
APT18M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | تحقيق |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT17F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 | تحقيق |
 |
APT17NTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 480V SOT23 | تحقيق |