| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 20mV @ 10µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-SOIC |
| سلسلة: | EPAD®, Zero Threshold™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 10.6V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 16-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ALD210800SCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |
|
ALD210808SCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |
 |
ALD21102DNUA | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 2NC AMB | تحقيق |
|
ALD210808ASCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |
|
ALD210804SCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |
|
ALD21102DNUS | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 2NC BLU | تحقيق |
|
ALD21102DNUG | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 2NC GRN | تحقيق |
|
ALD21102DNUY | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 2NC YEL | تحقيق |
 |
ALD210808PCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | تحقيق |
|
ALD210804PCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | تحقيق |
|
ALD210808APCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | تحقيق |
|
ALD21111DNUR | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 1NO1NC RED | تحقيق |
|
ALD21111DNUS | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 1NO1NC BLU | تحقيق |
|
ALD21111DNUG | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 1NO1NC GRN | تحقيق |
|
ALD21102DNUW | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 2NC WHT | تحقيق |
|
ALD21111DNUA | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 1NO1NC AMB | تحقيق |
|
ALD210814PCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | تحقيق |
|
ALD210802PCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | تحقيق |
|
ALD21102DNUR | IDEC | 30MM PB IL MOM 12V 2NC RED | تحقيق |
|
ALD210802SCL | Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |