العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > A2G22S160-01SR3
A2G22S160-01SR3
رقم القطعة:
A2G22S160-01SR3
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
IC TRANS RF LDMOS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
39676 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
1.A2G22S160-01SR3.pdf2.A2G22S160-01SR3.pdf
تحقيق

المقدمة

أفضل سعر A2G22S160-01SR3 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ A2G22S160-01SR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على A2G22S160-01SR3 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
الجهد - اختبار:48V
الجهد - تقييمه:125V
تجار الأجهزة حزمة:NI-400S-240
سلسلة:-
مخرج قوي:32W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:NI-400S-240
اسماء اخرى:935312929118
الضوضاء الشكل:-
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
ربح:19.6dB
تردد:2.11GHz
وصف تفصيلي:RF Mosfet 48V 150mA 2.11GHz 19.6dB 32W NI-400S-240
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:150mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لA2G22S160-01SR3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR تحقيق
MRF8S18120HSR3 Image MRF8S18120HSR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S تحقيق
BLF6G10-45,112 Image BLF6G10-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A تحقيق
MMRF1314HR5 Image MMRF1314HR5 NXP Semiconductors / Freescale TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V تحقيق
MRF8S21100HSR5 Image MRF8S21100HSR5 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS تحقيق
A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR تحقيق
MRF6S21140HR3 Image MRF6S21140HR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 68V 2.12GHZ NI-880 تحقيق
BLP8G27-10Z Image BLP8G27-10Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN تحقيق
BG3123H6327XTSA1 Image BG3123H6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 تحقيق
PTRA093302DC V1 International Rectifier (Infineon Technologies) IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 تحقيق
A2G26H280-04SR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR تحقيق
A2G26H281-04SR3 Image A2G26H281-04SR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR تحقيق
MRF8HP21130HR3 Image MRF8HP21130HR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4 تحقيق
BLP25M705Z Image BLP25M705Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN تحقيق
BF2040WE6814HTSA1 Image BF2040WE6814HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343 تحقيق
BLS9G2731LS-400U Image BLS9G2731LS-400U Ampleon RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B تحقيق
2N3819 AMI Semiconductor / ON Semiconductor JFET N-CH 25V 100MA TO92 تحقيق
STAC2932B Image STAC2932B STMicroelectronics TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B تحقيق
PTFB192503FL-V2-R250 Cree Wolfspeed IC AMP RF LDMOS تحقيق
A2G22S251-01SR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR تحقيق

Latest الأخبار