| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 100V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 600mV @ 100mA, 1A |
| نوع الترانزستور: | PNP |
| تجار الأجهزة حزمة: | TP |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 120MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 120MHz 1W Through Hole TP |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 140 @ 100mA, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 2A |
| رقم جزء القاعدة: | 2SA1593 |
| Email: | [email protected] |
