| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (สูงสุด): | ±10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | LFPAK56, Power-SO8 |
| ชุด: | TrenchMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 98 mOhm @ 5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 37W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| ชื่ออื่น: | 1727-1119-1 568-10274-1 568-10274-1-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 706pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 6.2nC @ 5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 80V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 80V 11.8A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 11.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
