| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 600V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2.5V @ 15V, 50A |
| ทดสอบสภาพ: | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 14ns/240ns |
| การสลับพลังงาน: | 995µJ (on), 1070µJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247 [B] |
| ชุด: | Thunderbolt IGBT® |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 446W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| ชื่ออื่น: | APT50GT60BRGMI APT50GT60BRGMI-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | NPT |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 240nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 150A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 110A |
| Email: | [email protected] |
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50GT60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | การสอบสวน |
 |
APT50GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT50GT120B2RDLG | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT50M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT50M38JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT50GS60BRG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | การสอบสวน |
 |
APT50M65LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT50GT120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | การสอบสวน |
|
APT50M65LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT50GT120JRDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 72A 379W SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | การสอบสวน |
|
APT50M65B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | การสอบสวน |
|
APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | การสอบสวน |
|
APT50M65B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | การสอบสวน |
|
APT50M75JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT50M65JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT50M50JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT50GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT50GT120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO264 | การสอบสวน |
|
APT50GS60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | การสอบสวน |