Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT11N80BC3G
APT11N80BC3G
APT11N80BC3G
Artikelnummer:
APT11N80BC3G
Tillverkare:
Microsemi
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Kvantitet:
50847 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
APT11N80BC3G.pdf
Förfrågan

Introduktion

APT11N80BC3G bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för APT11N80BC3G, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för APT11N80BC3G via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 680µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-247 [B]
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 7.1A, 10V
Effektdissipation (Max):156W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / Fodral:TO-247-3
Andra namn:APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:18 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1585pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):10V
Avlopp till källspänning (Vdss):800V
detaljerad beskrivning:N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till APT11N80BC3G

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
APT1204R7KFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 Förfrågan
APT11N80KC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 Förfrågan
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Förfrågan
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 Förfrågan
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Förfrågan
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 Förfrågan
APT12057B2FLLG Image APT12057B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Förfrågan
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Förfrågan
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK Förfrågan
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Förfrågan
APT12067B2FLLG Image APT12067B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX Förfrågan
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Förfrågan
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Förfrågan
APT12031JFLL Image APT12031JFLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 Förfrågan
APT1201R4BFLLG Image APT1201R4BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 Förfrågan
APT12057LFLLG Image APT12057LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 Förfrågan
APT1204R7BFLLG Image APT1204R7BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 Förfrågan
APT11GP60BDQBG Image APT11GP60BDQBG Microsemi IGBT 600V 41A 187W TO247 Förfrågan
APT12057B2LLG Image APT12057B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Förfrågan
APT12057JLL Image APT12057JLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 Förfrågan

Latest News