| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 680µA |
| Vgs (макс): | ±20V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-247 [B] |
| серия: | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 156W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-247-3 |
| Други имена: | APT11N80BC3GMI APT11N80BC3GMI-ND |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 18 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 1585pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 800V |
| Подробно описание: | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Изображение | Номер на частта | Производители | описание | изглед |
|---|---|---|---|---|
 |
APT1204R7KFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | Разследване |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Разследване |
 |
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Разследване |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | Разследване |
|
APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Разследване |
 |
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | Разследване |
 |
APT12057B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Разследване |
 |
APT10SCD120K | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 | Разследване |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | Разследване |
|
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Разследване |
|
APT12067B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | Разследване |
|
APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Разследване |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | Разследване |
 |
APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | Разследване |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | Разследване |
 |
APT12057LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 | Разследване |
|
APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | Разследване |
|
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | Разследване |
|
APT12057B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Разследване |
|
APT12057JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 | Разследване |